芯片的制造包括沉積、光刻膠涂覆、曝光、顯影、蝕刻、移植、剝離等工序，其中曝光是微芯片生產中的關鍵工序，ASML 正是處于半導體產業(yè)鏈中的曝光環(huán)節(jié)。

光刻機的作用原理有點像投影儀，首先由光刻設備投射的光源通過帶有圖案的掩模投射出來，經過透鏡或鏡子將圖案聚焦在晶圓（類似于投影幕布）上。

不過投射之后形成的形狀不是平面的而是立體的，通過蝕刻曝光或未受曝光的部分來形成溝槽，然后再進行沉積、蝕刻、摻雜，架構出不同材質的線路，生出基礎輪廓。此工藝過程被一再重復，將數十億計的 MOSFET 或其他晶體管建構在硅晶圓上，形成一般所稱的集成電路。

芯片在生產過程中需要進行 20-30 次的光刻，耗時占到制造環(huán)節(jié)的 50% 左右，占芯片生產成本的 1/3，光刻環(huán)節(jié)也決定著芯片的制程和性能水平。

細數光刻機發(fā)展的這么多年，入局者們基本圍繞降低 CD（曝光關鍵尺寸，可作為判斷分辨率的依據）展開競爭。

CD=k1* ( λ /NA )

CD 值越小表明曝光形成的關鍵尺寸越小水平越高，各大廠商能做的也就是降低波長 λ，提高鏡頭的數值孔徑 NA，降低綜合因素 k1。

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